Tech · 삼성전자·SK하이닉스 메모리 반도체

삼성전자·SK하이닉스 메모리 반도체 신제품 연대기 (2013–2026)

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삼성전자·SK하이닉스 메모리 반도체 신제품 연대기 (2013–2026)

2013

85일

2013-08-06삼성전자, 최초의 3D V-NAND 양산삼성전자가 128Gb 3D 수직구조 NAND 플래시 양산을 시작했다고 발표했다. 셀을 수직으로 쌓는 CTF 구조로 평면 NAND의 미세화 한계를 넘으며 이후 3D NAND 세대 경쟁의 출발점이 됐다.

21일

2013-10-30SK하이닉스, 6Gb LPDDR3 개발SK하이닉스가 20nm급 공정의 6Gb LPDDR3를 개발했다. 네 개 칩을 쌓아 최대 3GB 모바일 패키지를 구성하고 기존 4Gb 기반 제품보다 소비전류와 패키지 높이를 줄였다.

2014323일

2013-11-20SK하이닉스, 16nm NAND 본격 양산SK하이닉스가 16nm 64Gb MLC NAND의 본격 양산을 발표했다. 셀 간 간섭을 줄이는 에어갭 기술을 적용했고, 같은 공정의 128Gb MLC 제품 개발도 함께 공개했다.

20161년 102일

2014-10-09삼성전자, 3비트 3D V-NAND 양산삼성전자가 SSD용 32단 128Gb 3비트 V-NAND 양산을 시작했다. 셀당 3비트 저장과 수직 적층을 결합해 10nm급 평면 NAND보다 웨이퍼 생산성을 두 배 이상 높였다고 밝혔다.

77일

2016-01-19삼성전자, 4GB HBM2 양산삼성전자가 2세대 HBM 인터페이스 기반 4GB HBM2 패키지 양산을 발표했다. TSV 적층을 활용해 HPC·그래픽·서버·머신러닝용 고대역폭 메모리 시장을 본격적으로 열었다.

20181년 288일

2016-04-05삼성전자, 10nm급 8Gb DDR4 양산삼성전자가 업계 최초라고 밝힌 10nm급 8Gb DDR4 DRAM 양산을 시작했다. EUV 없이 ArF 액침 노광과 독자 셀 설계로 DRAM 미세화를 10nm급으로 진입시킨 제품이다.

180일

2018-01-18삼성전자, 16Gb GDDR6 양산삼성전자가 10nm급 공정의 16Gb GDDR6 양산을 발표했다. 핀당 18Gbps, 칩당 72GB/s 전송 성능으로 차세대 그래픽·자동차·네트워크·AI 시스템을 겨냥했다.

121일

2018-07-17삼성전자, 8Gb LPDDR5 개발삼성전자가 5G와 모바일 AI용 10nm급 8Gb LPDDR5 개발을 발표했다. 최대 6,400Mb/s로 당시 LPDDR4X보다 약 1.5배 빠른 모바일 DRAM 세대를 제시했다.

2019223일

2018-11-15SK하이닉스, JEDEC 규격 16Gb DDR5 개발SK하이닉스가 JEDEC 표준을 충족한 1Ynm 16Gb DDR5를 개발했다고 발표했다. 5,200Mbps 전송률과 1.1V 동작으로 DDR4 대비 속도를 높이고 소비전력을 낮췄다.

2020223일

2019-06-26SK하이닉스, 128단 1Tb 4D NAND 양산SK하이닉스가 128단 1Tb TLC 4D NAND 개발과 양산 개시를 발표했다. PUC와 CTF를 결합해 이전 96단 제품보다 웨이퍼당 비트 생산성을 40% 높였다고 설명했다.

50일

2020-02-04삼성전자, 16GB HBM2E ‘Flashbolt’ 출시삼성전자가 3세대 HBM2E 제품 ‘Flashbolt’의 시장 출시를 발표했다. 16Gb DRAM 다이 여덟 장을 TSV로 쌓아 16GB 용량을 구현해 AI 분석과 HPC·그래픽 시스템을 겨냥했다.

99일

2020-03-25삼성전자, 첫 EUV DRAM 100만 모듈 출하삼성전자가 EUV 공정을 적용한 10nm급 D1x DDR4 모듈 100만 개를 고객사에 출하했다고 발표했다. DRAM 양산에 EUV를 본격 도입해 이후 14nm급 세대로 이어지는 기반을 만들었다.

158일

2020-07-02SK하이닉스, 16GB HBM2E 본격 양산SK하이닉스가 16Gb 칩 여덟 장을 TSV로 적층한 16GB HBM2E 양산을 시작했다. 1,024개 I/O와 핀당 3.6Gbps로 초당 460GB 이상의 대역폭을 제공했다.

2021155일

2020-12-07SK하이닉스, 176단 4D NAND 개발SK하이닉스가 176단 512Gb TLC 4D NAND 개발 완료와 컨트롤러 업체 샘플 제공을 발표했다. 이전 세대보다 데이터 전송속도를 33% 높인 1.6Gbps 인터페이스를 적용했다.

154일

2021-05-11삼성전자, 첫 CXL DDR5 메모리 모듈 공개삼성전자가 CXL 인터커넥트를 지원하는 DDR5 기반 메모리 모듈을 공개했다. 기존 DDR 채널 한계를 넘어 서버 메모리 용량을 테라바이트급으로 확장하는 메모리 익스팬더 개념을 상용화 단계로 끌어올렸다.

2022204일

2021-10-12삼성전자, 14nm EUV DDR5 양산삼성전자가 EUV를 다섯 개 레이어에 적용한 14nm DDR5 DRAM 양산을 시작했다. 높은 비트 집적도와 약 20% 향상된 웨이퍼 생산성을 앞세워 데이터센터·서버용 DDR5 전환을 가속했다.

36일

2022-05-04삼성전자, UFS 4.0 저장장치 개발삼성전자가 JEDEC UFS 4.0 표준을 충족한 첫 저장 솔루션 개발을 발표했다. 7세대 V-NAND와 자체 컨트롤러로 레인당 23.2Gbps, 순차 읽기 4,200MB/s를 구현했다.

55일

2022-06-09SK하이닉스, HBM3 양산·NVIDIA 공급 발표SK하이닉스가 4세대 HBM인 HBM3 양산을 시작하고 NVIDIA H100 시스템에 공급한다고 발표했다. 최대 819GB/s 대역폭으로 AI 가속기용 HBM 시장을 본격 확대했다.

2023175일

2022-08-03SK하이닉스, 238단 4D NAND 개발SK하이닉스가 238단 512Gb TLC 4D NAND를 개발하고 고객사에 샘플을 보냈다. 176단 제품보다 생산성을 34% 높이고 전송속도 2.4Gbps, 읽기 에너지 21% 절감을 달성했다고 밝혔다.

208일

2023-01-25SK하이닉스, 9.6Gbps LPDDR5T 개발SK하이닉스가 핀당 9.6Gbps로 동작하는 LPDDR5T를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다. HKMG 공정을 적용해 LPDDR5X보다 속도를 13% 높인 모바일 DRAM이다.

11일

2023-08-21SK하이닉스, HBM3E 개발·샘플 평가 시작SK하이닉스가 5세대 HBM인 HBM3E 개발을 완료하고 고객 평가용 샘플을 제공했다고 발표했다. 초당 최대 1.15TB 처리 성능과 향상된 방열 특성을 내세웠다.

2024179일

2023-09-01삼성전자, 12nm급 32Gb DDR5 개발삼성전자가 단일 칩 기준 32Gb 용량의 12nm급 DDR5를 개발했다. 16Gb 칩 기반 설계보다 적은 칩으로 최대 1TB 모듈을 구성해 AI·빅데이터용 고용량 서버 메모리를 겨냥했다.

21일

2024-02-27삼성전자, 36GB HBM3E 12H 개발삼성전자가 12단 적층 HBM3E 12H를 개발했다고 발표했다. 36GB 용량과 최대 1,280GB/s 대역폭을 제공하고, 얇은 TC-NCF로 8단 제품과 같은 패키지 높이를 유지했다.

163일

2024-03-19SK하이닉스, HBM3E 양산 시작SK하이닉스가 HBM3E 양산을 시작하고 3월 말부터 고객사 공급에 들어간다고 발표했다. 개발 발표 후 7개월 만에 5세대 HBM을 실제 출하 단계로 전환했다.

14일

2024-08-29SK하이닉스, 1c 16Gb DDR5 개발SK하이닉스가 10nm급 6세대 공정인 1c 노드로 16Gb DDR5를 개발했다. EUV 공정 최적화와 새 소재를 적용해 원가 경쟁력과 전력효율을 높였다고 밝혔다.

14일

2024-09-12삼성전자, 1Tb QLC 9세대 V-NAND 양산삼성전자가 1Tb QLC 9세대 V-NAND의 양산을 시작했다. TLC 제품에 이어 QLC까지 9세대 라인업을 확장해 소비자 SSD, UFS, PC와 서버 SSD를 대상으로 했다.

2025174일

2024-09-26SK하이닉스, 12단 36GB HBM3E 양산SK하이닉스가 12단 36GB HBM3E 양산을 시작했다. DRAM 다이를 40% 얇게 만들어 기존 8단 제품과 같은 높이에서 용량을 50% 확대했다.

177일

2025-03-19SK하이닉스, 12단 HBM4 샘플 출하SK하이닉스가 주요 고객사에 12단 36GB HBM4 샘플을 출하했다. 초당 2TB 이상의 대역폭을 구현해 HBM3E보다 60% 이상 빠른 차세대 AI 메모리 검증을 시작했다.

2026153일

2025-09-12SK하이닉스, HBM4 개발 완료·양산 준비SK하이닉스가 HBM4 개발을 완료하고 양산 준비를 마쳤다고 발표했다. 이전 세대보다 대역폭을 두 배로 늘리고 전력효율을 40% 개선했다고 설명했다.

126일

2026-02-12삼성전자, 상용 HBM4 양산·고객 출하삼성전자가 HBM4 양산을 시작하고 상용 제품을 고객사에 출하했다고 발표했다. 1c DRAM과 4nm 로직 베이스다이를 적용해 핀당 11.7Gbps의 동작속도를 구현했다.

48일

2026-06-18SK하이닉스, 12단 48GB HBM4E 샘플 출하SK하이닉스가 주요 고객사에 12단 HBM4E 샘플을 출하했다. 48GB 용량, 핀당 최대 16Gbps, 전 세대 대비 20% 이상 향상된 전력효율을 제시했다.

2026-08-05삼성전자, 400단 이상 V10 BV-NAND 공개삼성전자가 FMS 2026에서 웨이퍼 본딩 구조의 V10 BV-NAND를 공개했다. 400단 이상 적층과 V9 대비 약 58% 높은 메모리 밀도를 제시한 차세대 NAND 아키텍처로, 이 행사는 제품 공개 단계다.

삼성전자와 SK하이닉스가 공식 발표한 주요 메모리 신제품의 개발, 샘플 공급, 양산, 상용 출하 이력을 3D NAND·DRAM·HBM·CXL·UFS 중심으로 정리한 연표. ‘업계 최초’ 표현은 각 회사의 발표를 기준으로 하며, 개발 발표와 실제 양산·출하는 구분해 표기했다.

이벤트

2013

85일

2013-08-06